理想的产品特性
普通材料通常会出现温度高达 1400°C、强电磁场、腐蚀性工艺气体以及高机械力等问题。但我们的产品不会。我们的耐热部件由钼、钨、石墨或陶瓷制成,集耐腐蚀性、材料强度、良好热导率和绝对纯度于一体。每个离子束路径采用一百个及以上的 Plansee 部件。它们确保高效产生离子,并使离子在离子束路径中精准投射于晶圆上,且不含任何杂质。
离子注入是半导体生产中的重要工艺。注入机系统在晶圆中引入外来原子以改变材料特性,例如电导率或晶体结构。离子束路径是注入机系统的中心。离子在此处产生、聚集,并经加速后以极高速度射向晶圆。
我们的部件和备件由难熔金属制成,有助于确保此过程尽可能高效、精密且不含杂质。
超过 30 年的半导体行业经验
严格按照制造商标准生产
卓越的产品质量
普通材料通常会出现温度高达 1400°C、强电磁场、腐蚀性工艺气体以及高机械力等问题。但我们的产品不会。我们的耐热部件由钼、钨、石墨或陶瓷制成,集耐腐蚀性、材料强度、良好热导率和绝对纯度于一体。每个离子束路径采用一百个及以上的 Plansee 部件。它们确保高效产生离子,并使离子在离子束路径中精准投射于晶圆上,且不含任何杂质。
凭借精准至千分之一毫米的精度与超过 30 年的半导体行业经验,我们位于日本和美国的生产基地能够精确满足制造商标准,并进一步开发部件。毕竟,Plansee 备件正日益精良,并不仅仅是客户替代品。我们从系统制造商的原装备件着手,然后优化几何形状和材料成分。您可以获得:
我们深知可重现的质量对您工艺的重要性。而这就是我们始终追求卓越产品质量的原因所在。我们如何做到这一点?自 1921 年以来,我们一直致力于生产高性能材料,从金属粉末到成品,整个生产流程都在内部进行。由我们的生产设施制造的注入机部件必须满足严格的质量控制检查的要求。
无论是旧型号还是下一代产品,中电流还是高电流:我们都了如指掌,并且我们的产品系列中都有您希望的理想备件。想让您的离子注入机更好地发挥功能吗?欢迎随时联系我们!即使下方系统列表中没有您的系统,我们也能满足您的需求。
AIBT:istar
Applied Materials:9000、9200、9200xR、9500、9500xR、Quantum、Quantum I、Quantum II、Quantum III、Quantum X、Quantum X+、Quantum xR、xR、xR/Leap、xR120、xR200、xR80
Varian 半导体设备(现为 Applied Materials):VIISta Trident、PLAD、VIISta HCS、VIISta HCP +/I、VIISta 80、E1000、VIISion 200、VIISion 200+、VIISion 80+、VIISta HC、120-10、120XP、160XP、180XP、80XP、VIISta 3000、Genus、Kestrel、VIISta 810 XE/XER、VIISta 900 XPT、VIISion、E220、E500、VIISta 810、VIISta 810 XE、VIISta 900、VIISta 900XP、300D、300XP、350D
Axcelis:GSD HC (200/200E/200E2)、HC3、Ultra、Eterna、GSD 100、GSD 160A、GSD 200E、GSD 200E^2、GSD HC、GSD HC3、GSD III、GSD III LE、GSD LED、NV GSD、NV 10-160、NV 10-180、NV 10-80、Optima HD、ULE、Ultra、GSD HE、GSD VHE、GSD HE、GSD HE3、GSD VHE、Optima XE、Paradigm XE、NV 3206/3204、NV 6200、NV 8200、NV 8250、Optima MD
Nissin:NH80、PR80、Exceed 3000、CLARIS、EXCEED2000A/2000AH、EXCEED2300AV、EXCEED3000AH、EXCEED9600A、NH20、NH45
SEN:NV-GSD-160A、NV-GSD-80A、NV-GSDIII、NV-GSDIII-180、SD、NV-GSDIII-90E、NV-GSDIII-LE、NV-GSDIII-LE、V-GSD-HC、LEX、LEX3、SHX、NV-GSD-HE、NV-GSD-HE3、MC3MC3-II、NV-MC3
Ulvac:IH-860、IDZ-7000、IDZ-8001、IDZ-9001、IM-200、IW-630
欢迎试用我们的在线产品目录。其中包含多种原始设备制造商质量的离子注入机备件以及 Plansee 设计的部件,可提高离子注入机使用寿命及简化操作。我们的产品目录还为现有客户提供附加功能,您可在此查看订单、交货状态和发票。
请访问 ionimplantation(at)plansee.com,通过个人登录信息登录并联系我们。
每当我们发现可以提高标准并为客户节省时间及金钱的机会,我们都会提供先进的标准解决方案。我们从系统制造商的原装备件着手,然后优化几何形状和材料成分。您想考验我们吗?我们很乐意为您效劳。您将获得完善的备件,并以极其经济实惠的价格进行试用。如此一来,您就可以坚定地做出选择。
MRS 叶片可在 IIP 工艺中过滤出不再带正确电荷或质量不正确的离子。只有通过质量分辨槽的离子可以继续沿着路径前进,抵达晶圆。MRS 叶片会因离子束碰撞而受到磨损。叶片侧面成一定角度可以最大限度减少这种磨损。但 IIP 工艺还涉及化学反应和磨损,而且这些化学反应和磨损越大,相关表面的角度越尖锐。作为折衷方案,原始设备制造商标准部件采用 92° 的角度。
但我们并不满足于该折衷方案,并进一步改进了原装零件,为此,我们将受到离子束最大力碰撞的区域设计为接近直角。相比之下,主要受化学和热反应影响的边缘区域仅成较小角度。
为了确保为客户提供品质出色的产品,我们挑选所用材料时也极其严苛。传统的石墨颗粒十分粗大,在工艺过程中可能会导致大量颗粒形成。对于涉及极小尺寸结构的电子部件制造商而言,此类杂质会造成严重问题。所以我们向客户提供一种特别坚硬和坚固的石墨。它不易磨损,因而减少了工艺过程中的颗粒形成。我们在 Plansee 所做的改进为客户带来巨大好处。先进标准的 MRS 叶片的使用寿命是传统原始设备制造商叶片型号的三倍。
一个想法的好坏取决于将其付诸实践的方式。告诉我们您面临的挑战。我们的 IIP 专家遍布全球各地。您需要我们直接前往现场吗?没问题!我们可在 48 小时内到达现场。我们保证说到做到!